检 索
学术期刊
切换导航
首页
文章
期刊
投稿
首发
学术会议
图书中心
新闻
新闻动态
科学前沿
合作
我们
一封信
按学科分类
Journals by Subject
按期刊分类
Journals by Title
医药卫生
Medicine & Health
工程技术
Engineering & Technology
数学与物理
Math & Physics
经济与管理
Economics & Management
人文社科
Humanities & Social Sciences
化学与材料
Chemistry & Materials
信息通讯
Information & Communication
地球与环境
Earth & Environment
生命科学
Life Sciences
题名
集成电路ESD注入损伤效应及注入电压与能量间的关系
DOI
10.12721/ccn.2022.157203
作者
丁伯继
作者单位
杭州士兰集昕微电子有限公司,浙江杭州,310018
摘要
确定电子元件的损伤阈值是决定元件功率值的主要因素,选择方波单脉冲的电流内应力法,选取特定的脉宽进行测试。目前方波注入实验是按照GJB538-88中的相关规定进行的,但是GJB538-88并没有将方波引起的辐射源场和高频的反射问题纳入计算范围之内。因此,通过选择专用的检测工具和设备,对检测的规范进行了改进,对74LS08的系统电子设备74LS08进行了方波注入实验,得到了74LS08的主要参数随脉冲宽度变化规律。
关键词
集成电路ESD;损伤效应;电压
刊名
电路系统研究
ISSN
3078-9702
年、卷(期)
202210
所属期刊栏目
工程技术
打印