题名
纳米硅量子点的自组织形成及其量子效应
DOI
作者
高文秀 刘继伟 高鹏 郭先清
作者单位
厦门大学纳米科技中心，福建厦门，361005
摘要
用减压气相淀积法(LPCVD),在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(1011cm-2)纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点),并进一步利用自组织生成的硅量子形成具有悬浮栅极的MOS单元,验证了硅量子点的量子效应。
关键词
硅量子点；LPCVD；自组织形成；悬浮栅极；MOS单元
刊名
纳米技术研究
ISSN
3078-9435
年、卷(期)
20194
所属期刊栏目
工程技术
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