TiN薄膜制备方法、性能及其在OLED方面应用的研究

题名

DOI

作者

张阳1，2 吕军锋3 杨建兵1，2 吴远武1，2 刘腾飞1，2

作者单位

1.中国电子科技集团公司第五十五研究所；2.国家平板显示工程技术研究中心；3.西安北方光电股份有限公司

摘要

基于磁控溅射法制备用于OLED器件阳极的TiNx薄膜电极。研究了N2流量和溅射功率对TiNx薄膜电阻率和反射率的影响。采用四探针、光学光度计、SEM等测试手段对TiNx薄膜进行了表征。结果表明,TiNx薄膜电阻率为35.6μΩ·cm时性能最佳,制作的OLED器件在5V电压下亮度可到22 757cd/m2。

关键词

氮化钛；有机电致发光；电极

刊名

光电子进展

ISSN

3078-9761

年、卷(期)

20185

所属期刊栏目

数学与物理