题名
保护层对背沟道刻蚀型金属氧化物IGZO TFT性能的研究
DOI
作者
陶家顺1，2 刘翔1，2
作者单位
1.南京中电熊猫平板显示科技有限公司；2.成都中电熊猫显示科技有限公司
摘要
研究了保护层对背沟道刻蚀型IGZO TFT性能及其稳定性的影响。结果显示,在正电压应力下TFT的阈值电压正向漂移。通过数据分析得知,保护层对水汽的阻挡能力直接影响到IGZO TFT的性能和稳定性。通过优化TFT的保护层,可以有效阻挡水汽渗透到背沟道表面形成缺陷态,提升IGZO TFT器件的稳定性。
关键词
金属铟镓锌氧化物薄膜晶体管；背沟道刻蚀型；保护层；阈值电压漂移
刊名
光电子进展
ISSN
3078-9761
年、卷(期)
20206
所属期刊栏目
数学与物理
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