深亚微米BiCMOS[B]芯片与制程剖面结构

题名

DOI

作者

潘桂忠1,2

作者单位

1.上海贝岭股份有限公司；2.中国航天电子技术研究院第七七一研究所

摘要

深亚微米BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺。为了便于集成,以双极型制程为基础,引入Twin-Well CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的BiCMOS[B]工艺。采用深亚微米BiCMOS[B]集成电路芯片结构设计的工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。

关键词

集成电路制造；工艺；深亚微米BiCMOS[B]；剖面结构

刊名

电路系统研究

ISSN

3078-9702

年、卷(期)

20183

所属期刊栏目

工程技术