题名
温度对硅外延图形漂移的影响及监控
DOI
作者
段路强
作者单位
华越微电子有限公司
摘要
<111>硅外延过程中图形漂移是影响外延质量的一个重要参数,在IC制造过程中,由于外延后的图形漂移使得后续光刻图形对偏情况时有发生,影响产品质量。本文通过对Si晶体的结构进行分析,解释了外延生长过程中图形漂移的原理,验证了温度对图形漂移量的影响,并根据理论分析,提出了一种新的外延漂移量监控方式。
关键词
集成电路制造；外延；图形漂移；晶向
刊名
电路系统研究
ISSN
3078-9702
年、卷(期)
20189
所属期刊栏目
工程技术
打印