题名
不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析
DOI
作者
李豫东1,2,3 文林1,2,3 郭旗1,2,3 何承发1,2,3 周东1,2,3 冯婕1,2,3 张兴尧1,2,3 于新2
作者单位
1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室；2.新疆电子信息材料与器件重点实验室；3.中国科学院新疆理化技术研究所
摘要
对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。
关键词
质子；电荷耦合器件；辐射效应；注量率；缺陷
刊名
物理进展
ISSN
3078-9451
年、卷(期)
20187
所属期刊栏目
数学与物理
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