单粒子软错误的数值仿真技术

题名

单粒子软错误的数值仿真技术

DOI

作者

毕津顺1,2

作者单位

1.中国科学院微电子研究所；2.中国科学院大学微电子学院

摘要

介绍了辐射效应,重点讲述了单粒子软错误效应。说明了单粒子软错误产生的物理机理,包含直接电离、间接电离和电荷收集。明确了临界电荷标准和软错误截面等单粒子软错误的基本计算公式。着重阐述了GEANT4(核物理层级)、TCAD(半导体器件层级)、SPICE(简单的电路层级)和复杂电路级/系统级的多层级结构化的单粒子软错误数值仿真技术。最后,结合后摩尔时代微电子技术的发展趋势,展望了单粒子软错误研究的未来发展。

关键词

辐射效应；单粒子效应；软错误；直接电离；间接电离；电荷收集；数值仿真；集成电路

刊名

物理进展

ISSN

3078-9451

年、卷(期)

20189

所属期刊栏目

数学与物理