题名
CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应仿真研究进展
DOI
作者
赵元富1,2,3 王亮1 舒磊2 刘家齐1 刘琳1 岳素格1 李同德1 李园3 顾问3
作者单位
1.北京微电子技术研究所；2.哈尔滨工业大学航天学院；3.北京工业大学微电子学院
摘要
以CMOS存储单元为研究对象,介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展,讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响,提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能,并通过试验验证了该方法的有效性。
关键词
CMOS集成电路；单粒子效应；仿真；抗辐射加固；交叉隔离；错误猝熄
刊名
物理进展
ISSN
3078-9451
年、卷(期)
20185
所属期刊栏目
数学与物理
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