嵌入式存储器故障检测具有一定的难度，需要对故障进行严格分析，使测试电路的构建更加的完善。存储器故障需要由自检测电路进行实现，对故障行为进行分析，并且合理采用March-like算法，提高故障分析结构的可靠性，进而使故障问题能够得到及时解决。
1嵌入式Flash存储器内建自测试电路概述
Flash存储器在电路中具有重要的功能，是处理数据的关键性硬件，进而实现设备的存储功能。存储器在工作过程中，存在着数据丢失等故障问题，并且对故障进行检测具有一定的难度。为了实现故障检测过程，需要对测试电路进行进行设计，对故障检测模块进行构建，提高故障检测方法的有效性，使存储器故障能够及时得到排查，降低存储器故障发生的几率。Flash存储器的测试算法较多，其中March-like算法具有较强的优越性，能够对典型故障问题进行分析，对存储器故障具有良好的识别能力。通过存储器内建检测电路的方式，虽然会增加芯片的面积，但却能够提高故障探测的精度，与探针、软件等检测方式相比，故障检验过程更加的方便，同时可以降低检测的成本，便于故障检测的实现。
2嵌入式Flash存储器内建自测试电路设计
2.1Flash结构及工作原理
Flash存储器在通电的情况下，可以实现存储的功能，能够长时间对数据进行保存，避免数据发生丢失。Flash存储单元主要包含两种形式：第一，NAND存储单元。结构类型为串行结构，具有较快的读写能力，能够实现大容量的存储，便于对存储单元进行扩展，适用于存储密度较大的设备。第二，NOR存储单元。结构类型为并联结构，可以对内部任意地址进行操作，实现快速的写入与擦除，对数据具有较高的存储速率。Flash存储器的读取单位是页，当需要对某一页进行操作时，需要对页施加电压，进而从页中对数据进行操作，实现数据的存储功能。在对数据进行擦除时，则是以区为单位，可以指定的存储空间数据进行清理，提高存储器对数据的处理效率[1]。
2.2Flash故障模型
为了提高存储器故障检测的效率，需要对Flash故障模型进行分析，主要故障模型如下：第一，固定型故障。当发生该故障后，将会对数据的写入造成影响，导致数据无法存储到存储器中。在检测方法上，采用写入、读取的方式对故障进行判定，如写入1读出1或写入0读出0，进而实现故障的检测。第二，跳变故障。通常表现为数据0、1的变化，出现存入的数据与读出的数据不一致的现象。对该故障进行检测时，故障的检测条件为写入1读出0或写入0读出1。第三，地址译码故障。出现地址与存储单元不对应的现象，导致数据读取时出现错误，影响地址访问功能的实现。故障模型是对存储器进行故障识别的关键，需要保障故障模型构建的准确性，使故障分析结果更加的明确。
2.3内建自测技术
内建自测技术（BIST）是存储器测试的重要形式，可以提高电路的集成化水平，将电路集成在芯片中，实现Flash存储器的检测。BIST技术可以生成测试向量，通过故障模型确定存储器的故障方式，进而对故障进行检测。内建自测电路采用集成化形式，可以实现数据的大量写入，能够对故障进行全面地识别，进而提高故障检测的效率。对地址进行测试时，一般采用进程测试形式，对存储单元具有较强的识别能力，进而实现大量数据的测试。内建自测需要通过电路模块进行实现，应保障电路的响应能力和分析能力，提高存储器故障分析结果的可靠性。BIST技术需要与March-like算法相结合，对存储器测试算法进行构建，使其具有良好的单元检测能力，保障内建自测电路能够发挥作用。
2.4March-like算法
March-like算法对存储器故障具有较强的覆盖性，可以有效地对故障进行检测。通过该算法可以对字与字之间的干扰进行检验，对存储器的不同位进行检测，便于对特有故障进行排查，有助于对故障问题进行识别。该算法的检测字宽为4，可以对存储器中的数据进行对比，对数据进行写操作或读操作，以此来判断存数单元是否存在故障。March-like算法具有较高的覆盖率，并且可以降低测试的长度，这样便可以提高存储单元的检测效率，使故障能够快速被发现。在检测过程中，需要按照地址递减或递增的顺序进行检测，这样可以保障检测的秩序性，能够避免故障检测时发生遗漏，提高故障检测的效率。通过March-like算法，可以将测试效率提升30%以上，能够节约大量的检测时间[2]。
2.5控制器模块
控制器模块是实现内建自测试电路协调性的关键，模块之间的信号需要由控制器进行管理，使自测电路具有良好的功能性。对控制器模块进行设计时，需要具有完整的结构，包括系统时钟、输入端口等，使控制模块能够正常工作。通过控制模块，可以对Flash BIST进行控制，使检测信号能够顺利地到达输出端，进而保证控制器模块功能的实现。通过控制器模块可以对测试向量模式进行选择，使测试模块间可以建立连接，对Flash存储器故障进行分析。控制器由多个功能端口组成，通过与端口进行连接可以实现相应的功能，对控制器的功能进行完善。控制器模块具有较强的功能性，便于对功能进行拓展，但需要增加接口的数量，使控制器的功能更加的全面。
2.6故障测试模块
存储器故障检测需要通过测试模块进行实现，一方面，需要与地址发生器建立连接，对指定地址中的数据进行检验，确保数据存储形式的正确性，对故障形成精准地判断。另一方面，需要与向量产生器进行连接，对输入、输出信号进行检验，使故障测试模块具有良好的检测模式，保障存储器故障的检测效率。故障测试模块具有多个功能端口，可以对地址的写入情况进行控制，提高向量使用方法的正确性，保障地址状态能够顺利地完成跳转。在故障测试过程中，需要对各个接口进行置位，为存储器故障检测做好准备工作，保障存储器检测能够顺利地进行。另外，需要注重测试工作模块的使用，对擦除和写入时间进行控制，提高数据读写操作的速率，使故障测试模块能够稳定地工作。
2.7地址与向量控制
对存储器故障进行检测时，需要对地址和向量进行控制。在对地址进行控制时，需要由地址发生器来实现，可以对指定地址进行操作，并且对地址进行更新，提高地址操作的合理性。在测试模式中，还包括向量测试，需要做好向量位宽的选择工作，使测试向量能够更好地融入，使故障检测具有准确的向量形式。为了保证向量测试使用方便，可以将向量位数指定为两位，使向量能够迅速地生成，这样可以有效地降低内存的消耗，提高硬件资源的利用率。在进行向量控制时，需要避免重复赋值的现象，否则将会导致故障检测的效率下降，不利于故障检测过程的进行。地址与向量控制是实现Flash存储器故障检测的关键，需要注重模块功能的实现，使数据能够得到有效地识别，保障故障检测的效果。
结论：综上所述，Flash存储器是存储数据的重要场所，一旦发生故障将会影响到线路的正常工作。为此，需要做好存储器故障的测试工作，合理对自测试电路进行设计，提高存储器故障的检测效果。故障检测采用了March-like算法，有助于故障模型的建立，实现存储器故障的精准检测。
参考文献：
[1]顾昌山. SRAM存储阵列的内建自测试电路设计与实现[D].苏州大学,2019.
[2]杨丽婷. 嵌入式Flash存储器内建自测试电路设计[D].上海交通大学,2019.
