InGaAs/InAlAs光电导太赫兹发射天线的制备与表征
陈益航1 杨延召2 张桂铭2 徐建星1 苏向斌1 王天放1 余红光1 石建美1 吴斌2 杨成奥1 张宇1 徐应强1 倪海桥1 牛智川1
生成PDF 清样下载 引用

复制成功

导出题录

参考文献( GB/T 7714-2015 ) 复制

陈益航1 杨延召2 张桂铭2 徐建星1 苏向斌1 王天放1 余红光1 石建美1 吴斌2 杨成奥1 张宇1 徐应强1 倪海桥1 牛智川1,. InGaAs/InAlAs光电导太赫兹发射天线的制备与表征[J]. 天线研究,2024.6. DOI:.
摘要: 光电导天线作为太赫兹时域光谱仪产生与探测太赫兹辐射的关键部件,具有重要的科研与工业价值。本文采用分子束外延(MBE)方法制备InGaAs/InAlAs超晶格作为1550nm光电导天线的光吸收材料,使用原子力显微镜、光致发光、高分辨X射线衍射等方式验证了材料的高生长质量;通过优化制备条件得到了侧面平整的台面结构光电导天线。制备的光电导太赫兹发射天线在太赫兹时域光谱系统中实现了4.5THz的频谱宽度,动态范围为45dB。
关键词: 太赫兹时域光谱仪;光电导天线;分子束外延;InGaAs/InAlAs超晶格
DOI:
基金资助:

》在线投稿系统

*文章题目:
*作者姓名:
*电子邮箱:
*通讯地址:
*联系方式:

  备      注:

*上传稿件:

支持上传.doc,.docx,.pdf,.txt,.wps文件

投稿须知:

1、审稿结果将于1~7个工作日以邮件告知,请注意查收(包含录用通知书、审稿意见、知网CNKI查重报告)。

2、提交投稿后,若7个工作日之内未接到录用通知,则说明该文章未被录用,请另投他刊。

3、凡投寄本刊稿件,如在内容上有侵权行为或不妥之处,均应文责自负。本刊有权对来稿进行文字编辑、加工和修改,如不同意,请附说明,以便妥善处理。

4、多作者文稿署名时须征得其他作者同意,排好先后次序,通知用稿后不再改动。

5、凡投往本刊稿件一经录用发表,其版权归本刊所有。

6、本刊已全文录入中国知网、万方、维普等数据库,如作者不同意被收录,请提前申明,未申明者,本刊一律视为同意被收录。

7、请勿一稿多投。