引言：在量子点领域的科研技术，全球各国极为重视。在我国的战略发展中，关于量子点显示的内容已然规划在内。虽然对比美国、韩国等，我国科研开始时间较晚，但成长速度不容忽视。
一、量子点光电器件
量子点：将激子在三维空间中，固定半导体的纳米结构，其外观通常呈现类似于球体的状态，规格在1-20纳米之间，其中涵盖数十到万以上的原子[1]。而其的光电器件是最近几十年成长起来的，国际上美国在该领域的研究比较先进，我国及日韩等国家也不甘落后。如今，在原本专利手段上，开发出新技术，形成新的工艺格局。量子点的光电器件，无疑是人类社会中起到颠覆性作用的工艺，会对信息领域，带来新时代的技术革命。对于我国来说，有助于打破他国在专利及科技上的壁垒，走上行业制高点。
二、量子点光电器件专利布局情况分析
（一）专利总体情况
截止至2019年的六月份，世界上关于此类光电器件的专利成果，拥有超过850个申请项，以及接近300个授权项。单就专利的布局地来看，美国拥有二百余个专利申请项目，我国仅与美国相差一个申请项，韩国拥有一百余项，日本不足60个。通过分析此类专利的国际布局来看，申请国家及地区多年来在此方面的研究，从1993年首个专利项目，由美国提出，至今稳居在世界研究前列，上世纪的相关专利并不多。直到2004年，我国及韩国开始涉猎此领域研发，而且不断出现新的研究成果，在我国持续扩大对科研的资本投入中，促使我国逐渐发展成国际上举足轻重的专利申请国。2004-2006年，短短数年，我国已经手握五个专利申请项，之后的几年，我国的专利申请频率维持在年均五项以上。在2010年之后，国内该领域呈现出猛烈的发展局势，多家相关生产公司出现。而且在2016全年，我国申请项数量超过50个，一举成为国际单年申请数目最多的国家。现如今，国家综合实力有所提升，逐步发展成世界此领域的生产点，从某角度来说，确实推动我国此产业的成长。
和美国比较，我国科技研发时间较短，2010年以前，我国研发成长速度远不及美国。而韩国坐拥世界级的公司，使其融入此领域的时间相对偏早。中国在刚加入该类光电器件领域时，成长速度偏慢，而在国家政策的推动与财政投入中，使得国内市场研发热情高涨，相应基础成长获得坚实的推动力，由此能看出我国拥有科研潜力。以企业的角度来看，三星电子在专利研发中，国际上布局比例相对偏高，而TCL等企业，近些年，在该领域也有专利推出，但只停留在国内层面，未能渗透到全球。造成此种专利局势的原因，可能是国内市场主体与科研机构没有将知识产权提升至战略层面，或者对他国关于知识产权规定，尚不了解。为增强科技发展优势，应当扩展全球专利布局。
（二）科技发展历程
在上世纪，关于量子点的专利科技，更多集中在合成技术和提升性能，前者有热注入、室温合成与阳离子交换等，共有接近250项专利申请项，授权比例在36.18%左右。专项内容包括钝化、核壳等，在数年的科研发展中，合成技术不断完善，在本世纪的前十年间，关于光伏器件、光电转化方面的研究愈发成熟，大量科研人员开始从材料、结构入手，研究量子点的太阳电池，相关申请项多达123个，授权比例约为24.39%。从2010年至今，量子点的研究逐渐转移阵地，出现在发光显示及光纤波导等。例如，发光二极管，其光谱具备可调节性，而且输出色调饱满，发光速度快，可以较为真实显示物体原本的状态，是当前显示科技研究的重要方向之一。但QLED还有缺陷，发光效率尚未达到最佳状态，造成此问题的根因，应当是载流子复合的效率不高。为克服此问题，彭笑刚研究团队，尝试往发光层和传输层之间，添加阻挡层，以控制电子传输，研究出发光波长达到640nm，且半峰宽有28nm，显示图像饱和度较佳的发光器件，其量子效率上升至20.5%。而三星电子研发的此类期间，CuInS²是运用量子点，其吸收波长在500-800纳米之间，属于低毒物质，而且量子生产率能达到80%，半峰宽拥有90-120纳米，显然后者性能更佳。
（二）国内他国专利布局
我国由于人口基数大，使得消费市场规模始终在世界前列，吸引他国企业及科研机构，进入我国开展专利布局。根据总体统计情况而言，他国专利申请数量明显提高是从2014年开始，单年最多申请项有13个，并且国内布局相对偏多的为三星电子。为保证我国企业在国内市场的地位，相关科研机构需重视他国同类型的科研机构，分析其科研与市场推广趋势[2]。
（三）国内申请者的情况
三星电子为我国领土上，专利布局较多的他国机构，而我国的TCL位于国内研发主体中，申请量最大的机构。对比二者在国内的专利布局情况来看，关于显示器件专利，三星电子从2015年起，便已经在我国布局，而存储器早在2006年出现。TCL为响应国家在消费品上的发展战略，从2015年起，两年间重点研发合成、提纯和稳定性等方面，并在2016年，在发光和显示器件中添加量子点技术。
（四）专利发明者的情况
国内外关于量子点的研究，Sarg ent教授与国内彭笑刚教授，属于杰出人物。对比二者的科研情况，Sarg ent教授个人申请数量较多，接近30项，区位布局包括美国、中日韩等。并且早在2004年，其已经手握此领域的光探测与成像传感装置的技术专利。在2006年，为能将专利技术投入市场，成立技术企业，重点生产有关是的探测与传感器件，可优化成像品质。Sarg ent教授成立的公司，拥有的专利数量，只排在三星电子之后。彭笑刚教授专利布局的时间相对更早，从2000年起，并在2009年，成立科技公司，主攻关于量子点的科研项目。
结束语：基于上文分析，国内外在量子点上的科研成绩还有一定差距。为推动我国在该领域的稳定成长，应当增加研发资本投入，以免他国机构在国内市场形成垄断局势。同时，我国机构需注重整体布局，严密保护知识产权，打造专利合围的战略局势。
参考文献：
[1]陆海东.阱中量子点光电器件特性及其信号读出研究[D].华东师范大学,2019.
[2]李尧.金属（锡、铜）硫化物量子点的制备及光电性能研究[D]..云南大学,2019.