低内阻Trench MOSFET结构仿真研究 下载：76 浏览：1560

崔同 周晓军 刁伟敏 郑磊 陈玮 《中国科学研究》 2022年12期

摘要: 沟槽栅（Trench）MOSFET以其通态电阻低，开关速度快的特点占据了主导地位。为降低通态电阻，研究在不同Pwell深度下对导通电阻的影响，在不同外延长度下，沟槽深度对耐压的影响，随着对沟槽深度的增加，Trench MOSFET的耐压随之下降，导通电阻随着减小。