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纳米管状聚苯胺合成与导电织物涂层整理研究 下载：41 浏览：421

王进美1 朱长纯2 戴惠敏2 《纳米技术研究》 2019年4期

摘要:
本文研究采用改性的碳纳米管为模板,采用氧化聚合法合成了纳米管状聚苯胺.利用FTIR、UV/Vis Spectra、TEM等分析表明:合成的聚苯胺分子具有良好的纳米管状结构.利用合成的聚苯胺与有机粘合剂等材料进行复配,形成稳定的整理剂,利用Mini-TAB对各整理工艺进行优化分析,使整理后的织物的导电性大大提高.该整理技术将对开发导电、抗静电纺织服装产品具有实际应用意义

织物与服装产品纳米抗紫外整理技术的应用研究 下载：84 浏览：520

​王进美1 朱长纯2 戴惠敏3 《纳米技术研究》 2018年5期

摘要:
论述将纳米复合材料通过浸渍涂层的方法整理到棉织物及服装产品上,使其具有抗紫外线性能.对纳米粒子进行特性与表征分析,探讨如何将纳米粒子整理到织物及服装产品上的方案.对不同种类的织物及服装产品进行对比试验,运用遮蔽率指标及相应的测试手段对整理后的织物、服装产品进行了分析测试.并对整理后织物、服装抗紫外线的耐洗牢度进行分析评价。

硅基碳纳米管厚膜的制备及其场发射研究 下载：94 浏览：521

​王琪琨 朱长纯 史永胜 《纳米技术研究》 2018年2期

摘要:
该文研究了用涂敷法制备碳纳米管(CNT)厚膜的制备和场发射特性,裂解法获得的碳纳米管与玻璃粉等混合、研磨,直接涂敷在Si基底上,二极管结构测量的结果表明,碳纳米管厚膜有较低的开启电场(1.0～1.5 v/μm),场强为5 V/μm时,电流密度达到了50 μA/cm2.该工艺的烧结过程应控制好,加热时间稍长,会使CNT厚膜的场发射性能很快下降,时间过长会使CNT处在厚膜表面之下,无法有效发射电子.浆料中的玻璃粉比例增大时,碳纳米管阴极的场发射性能会有所降低。

亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究 下载：94 浏览：511

​贺永宁 李宗林 朱长纯 《纳米技术研究》 2018年2期

摘要:
介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战.针对尺寸量子化效应,建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响.得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面,造成有效栅氧厚度的增加,阈值电压的波动达到约10%。

碳纳米管场发射显示屏发光规律研究 下载：98 浏览：514

田昌会 朱长纯 刘卫华 《纳米技术研究》 2018年1期

摘要:
通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器试验性样管.比较测试可知,直接测量显示屏的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的,用后者代替前者不够合理.通过光亮度与电压、电流、功率的关系曲线比较分析可知,用光亮度与电流成线性关系的结论表征碳纳米管场发射显示屏的性能比用电压更合理,更利于器件的分析和设计。
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