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TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能 下载：64 浏览：455

王永平 丁子君 朱宝 刘文军 丁士进 《材料科学研究》 2019年9期

摘要:
使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组成。当衬底温度由250℃提高到325℃时Ta与N的原子比由46:41升高到55:35,C的原子分数由6%降低到2%。同时,薄膜的密度由10.9 g/cm3提高到11.6 g/cm3,电阻率由0.18Ω?cm降低到0.044Ω?cm。与未退火的薄膜相比,在400℃退火30 min后TaN薄膜的密度平均提高了～0.28 g/cm3,电阻率降低到0.12～0.029Ω?cm。在250℃生长的3 nm超薄TaN阻挡层在500℃退火30 min后仍保持良好的抗Cu扩散性能。

变电一次设备故障预测及检修方法研究 下载：179 浏览：2430

王永平 《中国能源进展》 2021年10期

摘要:
近年来，随着我国电网规模建设不断扩大，生活水平日益提高的人们对供电质量提出了更高要求。在传统变电站运行的过程中，一次设备经常会出现各种各样的问题，由于检修方式存在弊端，无法及时有效发现问题，无法满足现代社会的发展需要。变电站工作人员必须要积极总结变电一次设备检修的重要性，分析变电一次设备故障预测及检修方法，确保变电一次设备故障检测的水平全面提升，保证城市电网的稳定运行。
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