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硅基碳纳米管厚膜的制备及其场发射研究 下载：94 浏览：514

​王琪琨 朱长纯 史永胜 《纳米技术研究》 2018年2期

摘要:
该文研究了用涂敷法制备碳纳米管(CNT)厚膜的制备和场发射特性,裂解法获得的碳纳米管与玻璃粉等混合、研磨,直接涂敷在Si基底上,二极管结构测量的结果表明,碳纳米管厚膜有较低的开启电场(1.0～1.5 v/μm),场强为5 V/μm时,电流密度达到了50 μA/cm2.该工艺的烧结过程应控制好,加热时间稍长,会使CNT厚膜的场发射性能很快下降,时间过长会使CNT处在厚膜表面之下,无法有效发射电子.浆料中的玻璃粉比例增大时,碳纳米管阴极的场发射性能会有所降低。
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