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亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究 下载：94 浏览：507

​贺永宁 李宗林 朱长纯 《纳米技术研究》 2018年2期

摘要:
介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战.针对尺寸量子化效应,建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响.得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面,造成有效栅氧厚度的增加,阈值电压的波动达到约10%。
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