传统的并联肖特基二极管(Schottky diode, SD)对的模拟预失真(analog predistortion, APD)电路，其可调性不高，产生的非线性信号有限。为了解决上述问题，基于传统的并联肖特基二极管(Schottky diode)对的基础上，提出了一种共源级场效应晶体管(field effect transistor, FET)和并联肖特基二极管对串联结构的新型模拟预失真电路。该模拟预失真电路可调参数多，产生的非线性信号更强。通过改变场效应晶体管的偏置电压、肖特基二极管对的偏置电压、无源传输线的电长度得到不同的幅度和相位曲线，从而使整个预失真网路具有更好的适应性。实验结果表明，在3.5GHz时，所设计的模拟预失真电路能够实现5dB的幅度扩张和接近50度的相位扩张。