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TiN薄膜制备方法、性能及其在OLED方面应用的研究 下载：72 浏览：391

张阳1，2 吕军锋3 杨建兵1，2 吴远武1，2 刘腾飞1，2 《光电子进展》 2018年5期

摘要:
基于磁控溅射法制备用于OLED器件阳极的TiNx薄膜电极。研究了N2流量和溅射功率对TiNx薄膜电阻率和反射率的影响。采用四探针、光学光度计、SEM等测试手段对TiNx薄膜进行了表征。结果表明,TiNx薄膜电阻率为35.6μΩ·cm时性能最佳,制作的OLED器件在5V电压下亮度可到22 757cd/m2。
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