我要投稿 查看投稿进度
学术期刊
在线客服
客服电话：400-188-5008
客服邮箱：service@ccnpub.com
投诉举报：feedback@ccnpub.com
人工客服

工作时间（9：00-18：00）
官方公众号

科技成果·全球共享

请选择 目标期刊

集成电路用大尺寸高纯钽靶材的制备工艺进展 下载：83 浏览：462

刘宁1,2 杨辉1 姚力军2 王学泽2 袁海军2 《电路系统研究》 2018年7期

摘要:
高纯钽靶材作为芯片铜互连工艺扩散阻挡层的溅射源在大规模集成电路生产中被广泛应用。文章介绍了大尺寸高纯钽靶材的制备技术原理及工艺进展,并分析了钽靶材产品的国内外的市场现状及应用前景。

TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能 下载：64 浏览：444

王永平 丁子君 朱宝 刘文军 丁士进 《材料科学研究》 2019年9期

摘要:
使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组成。当衬底温度由250℃提高到325℃时Ta与N的原子比由46:41升高到55:35,C的原子分数由6%降低到2%。同时,薄膜的密度由10.9 g/cm3提高到11.6 g/cm3,电阻率由0.18Ω?cm降低到0.044Ω?cm。与未退火的薄膜相比,在400℃退火30 min后TaN薄膜的密度平均提高了～0.28 g/cm3,电阻率降低到0.12～0.029Ω?cm。在250℃生长的3 nm超薄TaN阻挡层在500℃退火30 min后仍保持良好的抗Cu扩散性能。
[1/1]
|<
<
1
>
>|
在线客服：：点击联系客服
联系电话：：400-188-5008
客服邮箱：：service@ccnpub.com
投诉举报：：feedback@ccnpub.com
人工客服

工作时间（9：00-18：00）
官方公众号

科技成果·全球共享