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CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应仿真研究进展 下载：95 浏览：490

赵元富1,2,3 王亮1 舒磊2 刘家齐1 刘琳1 岳素格1 李同德1 李园3 顾问3 《物理进展》 2018年5期

摘要:
以CMOS存储单元为研究对象,介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展,讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响,提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能,并通过试验验证了该方法的有效性。
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