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保护层对背沟道刻蚀型金属氧化物IGZO TFT性能的研究 下载：30 浏览：263

陶家顺1，2 刘翔1，2 《光电子进展》 2020年6期

摘要:
研究了保护层对背沟道刻蚀型IGZO TFT性能及其稳定性的影响。结果显示,在正电压应力下TFT的阈值电压正向漂移。通过数据分析得知,保护层对水汽的阻挡能力直接影响到IGZO TFT的性能和稳定性。通过优化TFT的保护层,可以有效阻挡水汽渗透到背沟道表面形成缺陷态,提升IGZO TFT器件的稳定性。
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