本文提出了一种基于正交耦合器和BST可调电容器的反射式移相器的设计。BST材料的介电常数随偏置电压所提供的不同的静电场而发生变化。因此,通过控制外部电压,可以连续地获得有效的变化介电常数和移相器的反射相位。利用PLD技术实现了0.3μm厚的BST薄膜,并采用微加工和氧化铝衬底组成的可调谐电容来测试其微波性能。通过将耦合器和采用钛酸锶钡薄膜可调电容器构成的反射负载相结合,在微带线上设计了DC偏置电路,用于施加直流电压。在0V至60V电压范围内,通过测试和分析,获得BST薄膜的介电常数调谐范围为310-455。通过ADS和HFSS的仿真模拟,在提供不同的偏置电压BIAS可在25GHz-45GHz频率范围内实现了90°相移和2.9dB插入损耗,S参数仿真结果表明,所设计的移相器具有令人满意的传输特性。

在LaAlO3(001)、MgO(001)、SrTiO3(001)衬底以及SrTiO3(001)/PZT(001)种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜.生长结果表明:在LaAlO3(001)基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长,薄膜中有大量的焦绿石异相;在MgO(001)和SrTiO3(001)衬底上,为三维岛状异质外延生长,薄膜中焦绿石异相几乎消失;引入[001]取向的PZT种膜后,岛状三维生长变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了完整的PZNT膜.分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒的发育、克服薄膜中异相形成等的影响,总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件