基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管（micromicro-LED）阵列器件，并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 ke V单次注入器件， 50/100 ke V两次注入器件具有更好的光电性能，器件反向漏电降低8.4倍，光输出功率密度提升1.3倍.同时，在不同的发光孔径（6， 8， 10μm）条件下，器件反向漏电流均为3.4×10–8 A，但正向工作电压随孔径增大而减小，分别为3.3， 3.1， 2.9 V.此外，器件不同发光孔径的有效发光面积比（实际发光面积与器件面积之比）分别为85%， 87%， 92%.与传统台面刻蚀micro-LED器件相比，离子注入隔离技术实现的micro-LED器件具有较低反的向漏电流密度、较高的光输出密度及有效发光面积比.