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分步式压印光刻研究 下载：80 浏览：498

​邱志惠 丁玉成 刘红忠 卢秉恒 《纳米技术研究》 2021年6期

摘要:
针对微纳制造中光刻环节的光衍射限制,讨论了可能成为下一代光刻技术路线的压印光刻.通过对比热压印、微接触转印及常温压印的技术特点,设计了一套低成本、结构简单的紫外光固化常温压印光刻机构.其大行程纳米级定位、纳米级下压系统消除了压印过程中的机构热变形误差、驱动间隙、蠕动误差等,具有分步式纳米级驱动多场压印及纳米级下压加载能力,可实现多次重复高保真图形复制。

基于MEMS的微型药物控释系统释药特性研究 下载：85 浏览：504

​钱良山 王小鹏 陈天宁 《纳米技术研究》 2021年2期

摘要:
基于微纳米加工技术,设计一种可降解的植入式药物控释微载体,介绍利用紫外光刻(UV-LIGA)技术制备该类微载体的工艺.用聚羟基丙酸乙酸(PLGA)制作该微载体,分别对填充扑热息痛和扑尔敏两种药物的该类控释系统进行了实验研究,对比分析了在结构表面扎微孔和药物的溶解度对释药速率的影响情况,实验表明该类型微载体适用于植入式长期控释给药,而且累积给药量线性度较好。

硅基碳纳米管厚膜的制备及其场发射研究 下载：94 浏览：534

​王琪琨 朱长纯 史永胜 《纳米技术研究》 2018年2期

摘要:
该文研究了用涂敷法制备碳纳米管(CNT)厚膜的制备和场发射特性,裂解法获得的碳纳米管与玻璃粉等混合、研磨,直接涂敷在Si基底上,二极管结构测量的结果表明,碳纳米管厚膜有较低的开启电场(1.0～1.5 v/μm),场强为5 V/μm时,电流密度达到了50 μA/cm2.该工艺的烧结过程应控制好,加热时间稍长,会使CNT厚膜的场发射性能很快下降,时间过长会使CNT处在厚膜表面之下,无法有效发射电子.浆料中的玻璃粉比例增大时,碳纳米管阴极的场发射性能会有所降低。

亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究 下载：94 浏览：519

​贺永宁 李宗林 朱长纯 《纳米技术研究》 2018年2期

摘要:
介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战.针对尺寸量子化效应,建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响.得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面,造成有效栅氧厚度的增加,阈值电压的波动达到约10%。
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