摘要:
为了避免光照对铟镓锌氧薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors，IGZO TFTs)电学特性的影响，IGZO TFT要增加遮光金属层.本文研究了遮光金属栅极悬浮时，IGZO TFT的输出特性.采用器件数值计算工具TCAD(technology computer-aided design)分析了IGZO层与栅介质层界面处电势分布，证实了悬浮栅(floating gate，FG)IGZO TFT输出曲线的不饱和现象是由悬浮栅与TFT漏端的电容耦合造成.基于等效电容的电压分配方法，提出了悬浮栅IGZO TFT电流的一阶模型.TCAD数值分析及一阶物理模型结果与测试具有较高程度的符合，较完整地解释了悬浮栅IGZO TFT的电学特性.
