使用低气压蒸发工艺制备了金纳米结构，研究了金纳米结构的二次电子发射特性及其对表面形貌的依赖规律，表征了金纳米结构表面出射二次电子能量分布.实验结果表明:蒸发气压升高时，金纳米结构孔隙率增大，表面电子出射产额降低；能量分布表明金纳米结构仅对低能真二次电子有明显抑制作用，对背散射电子的作用效果则依赖于表面形貌.使用由半球和沟槽构成的复合结构，并结合二次电子发射唯象概率模型，对金纳米结构进行模型等效及电子发射特性仿真，模拟结果表明:纳米结构中的半球状纳米颗粒对两种电子产额均有增强作用；沟槽对真二次电子产额有强抑制作用，而对背散射电子产额仅有微弱抑制作用.本工作深入研究了金纳米结构表面电子发射机理，对于开发空间微波系统中纳米级低电子产额表面有重要参考价值.