通过微波等离子体化学气相淀积技术生长单晶金刚石并切割得到(110)和(111)晶面金刚石片，以同批器件工艺制备两种晶面上栅长为6μm的氢终端单晶金刚石场效应管，从材料和器件特性两方面对两种晶面金刚石进行对比分析.(110)面和(111)面金刚石的表面形貌在氢终端处理后显著不同，光学性质则彼此相似.VGS=–4 V时，(111)金刚石器件获得的最大饱和电流为80.41 m A/mm，约为(110)金刚石器件的1.4倍；其导通电阻为48.51 W·mm，只有(110)金刚石器件导通电阻的67%.通过对器件电容-电压特性曲线的分析得到，(111)金刚石器件沟道中最大载流子密度与(110)金刚石器件差异不大.分析认为，(111)金刚石器件获得更高饱和电流和更低导通电阻，应归因于较低的方阻.