半绝缘半导体电阻率无接触测试设备的研究
王昕 李俊生 田蕾 叶灿明
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参考文献( GB/T 7714-2015 ) 复制

王昕 李俊生 田蕾 叶灿明,. 半绝缘半导体电阻率无接触测试设备的研究[J]. 中国仪器,2018.9. DOI:.
摘要:
半绝缘半导体包含了第二代和第三代半导体,它们在微波、光电子、新能源及微电子领域有着广泛的应用,电阻率一般在10~5Ω·cm1012Ω·cm之间。要研究此类新材料的电阻率分布状况已无法用现有的探针法、霍尔法、I-V法实现。因此,参照德国din标准及我国电子行业标准,用TDCM法研发了"半绝缘半导体电阻率分布测绘仪",设计并研制了电容性探头、高精度三维测试台,开发了以拟合曲线为基础的数据处理及绘图软件,实现了对直径6英寸以下SiC、GaAs、CdZnTe等晶片的无接触电阻率扫描测绘,给出了彩色分布图。
关键词: 半绝缘半导体;电阻率;无接触测量
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