反应物浓度诱导CVD SiC结构的转变
黄东1,2 王昊3 何雨恬3 王秀连3 刘桦3 邓畅光3 林松盛3 张明瑜2
1.湖南东映碳材料科技有限公司高性能沥青基碳纤维湖南省工程研究中心；2.中南大学粉末冶金国家重点实验室；3.广东省新材料研究所现代材料表面工程技术国家工程实验室广东省现代表面工程技术重点实验室
摘要: 利用低密度的C/C复合材料为沉积基体,通过化学气相沉积法制备气相生长SiC,分析并研究了不同沉积位置和反应物浓度下气相生长SiC的微观形貌和物相组成.结果表明,随着反应物气体浓度的降低,多孔C/C复合材料基体上气相生长的SiC的微观结构呈区域性变化,SiC薄膜依次向SiC薄膜和颗粒、SiC短棒、SiC纳米线转变.探讨了不同反应物浓度气氛中过饱和度诱导原子迁移和气相分子吸附的过程,并提出一个SiC的生长模型.
关键词:
CVD；SiC；微观结构；
CVD；SiC；微观结构
