狭缝式化学气相沉积制备SiC涂层及其抗氧化性能研究
廖超前1,2 王昊3 齐绍忠1 任兵1 刘桦3 何雨恬3 黄东1,4 张明瑜4
1.湖南东映碳材料科技有限公司沥青基高性能碳材料湖南省工程研究中心；2.湖南省产业技术协同创新研究院；3.广东省新材料研究所现代材料表面工程技术国家工程实验室广东省现代表面工程技术重点实验室；4.中南大学粉末冶金国家重点实验室
摘要: 为了改善SiC涂层试样的均匀性,同时提高制备效率,利用石墨材料为沉积基体,通过狭缝式化学气相沉积法制备SiC涂层,同时分析并研究了SiC涂层的微观结构和抗氧化性能.研究结果表明:与普通化学气相沉积工艺相比,狭缝式化学气相沉积工艺沉积速率更大,沉积1 h后涂层厚度为17.3μm；狭缝式化学气相沉积工艺制备的SiC涂层晶粒更细,涂层均致密无缺陷,与基体相容性较好.狭缝式化学气相沉积的SiC涂层在1500℃时下具有较好的氧化防护能力,在静态空气中恒温氧化24 h后,氧化失重仅为4.01 mg/cm2.狭缝式化学气相沉积的SiC涂层表面裂纹的尺寸很小,在氧化过程中更容易被氧化产生的SiO2玻璃态物质封填,而发生自愈合效应,从而使涂层具有良好抗氧化性能.
关键词:
CVD；SiC；微观结构；
CVD；SiC；微观结构
