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Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响

作者: 甄龙云1 彭鹏2 仇成功1 郑蓓蓉1 Antonios Armaou1,3 钟蓉1 单位： 1.温州大学机电工程学院；2.陕西电子集成电路先导技术研究院有限责任公司；3.Department of Chemical Engineering, Pennsylvania State University 下载量：60 浏览量：514

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氧化物纳米结构的科学技术

作者: 王中林单位：佐治亚理工学院，美国下载量：57 浏览量：616

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