以黑籽南瓜、白籽南瓜和"津优35号"黄瓜为试材,研究在适温(18～20℃,CK)、亚适温(13～15℃)、低温(8～10℃)的根区温度条件下,对黄瓜嫁接苗和自根苗叶片净光合速率和叶绿素荧光参数日变化的影响。结果表明:与适温(CK)相比,随着根区温度的降低,黄瓜叶片净光合速率(Pn)、PSⅡ最大光化学效率(Fv/Fm)、光化学淬灭参数(qP)、非光化学淬灭参数(NPQ)均显著降低。亚适温和低温处理下,黑籽南瓜嫁接苗的净光合速率(Pn)以及叶绿素荧光参数均高于白籽南瓜嫁接苗和自根苗,说明在低温胁迫下,黑籽南瓜嫁接苗抗逆性优于白籽南瓜嫁接苗及自根苗,光能利用率维持在相对较高的水平。