基于磁控溅射法制备用于OLED器件阳极的TiNx薄膜电极。研究了N2流量和溅射功率对TiNx薄膜电阻率和反射率的影响。采用四探针、光学光度计、SEM等测试手段对TiNx薄膜进行了表征。结果表明,TiNx薄膜电阻率为35.6μΩ·cm时性能最佳,制作的OLED器件在5V电压下亮度可到22 757cd/m2。