摘要: 介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战.针对尺寸量子化效应,建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响.得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面,造成有效栅氧厚度的增加,阈值电压的波动达到约10%。