InGaAs/InAlAs光电导太赫兹发射天线的制备与表征 下载：53 浏览：426

陈益航1 杨延召2 张桂铭2 徐建星1 苏向斌1 王天放1 余红光1 石建美1 吴斌2 杨成奥1 张宇1 徐应强1 倪海桥1 牛智川1 《天线研究》 2024年6期

摘要: 光电导天线作为太赫兹时域光谱仪产生与探测太赫兹辐射的关键部件，具有重要的科研与工业价值。本文采用分子束外延(MBE)方法制备InGaAs/InAlAs超晶格作为1 550 nm光电导天线的光吸收材料，使用原子力显微镜、光致发光、高分辨X射线衍射等方式验证了材料的高生长质量；通过优化制备条件得到了侧面平整的台面结构光电导天线。制备的光电导太赫兹发射天线在太赫兹时域光谱系统中实现了4.5 THz的频谱宽度，动态范围为45 dB。