物理进展
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ISSN: 3078-9451

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  • 多点同步起爆条件下环形射流成型及侵彻过程的数值模拟 下载:95 浏览:474
  • 吴海军 王可慧 柯明 龚柏林 李明 《物理进展》 2018年3期
  • 摘要:
    运用显式动力学有限元软件LS-DYNA,对环向多点同步起爆条件下装药爆轰波的传播规律、环形药形罩在爆轰波作用下成型过程及环形射流对靶板的侵彻效应进行了数值模拟,分析了起爆点数对侵彻能力的影响。研究结果表明:环向多点同步起爆条件下,爆轰波通过相互碰撞形成统一的波浪形爆轰波前沿,爆轰波前沿到达药形罩顶端的时间沿环向并不同步,压力大小也不一致。环形射流不仅头部和尾部之间存在速度梯度,沿环向也存在一定的速度差异,难以保持形状。环形射流对靶板的破坏形式主要为塑性扩孔或塑性扩孔+剪切冲塞,形成的圆形弹孔孔径与环形药型罩对称面直径相当。环形射流的侵彻能力随起爆点数的增加而增大,当起爆点数大于10时,侵彻深度增大幅度会明显减小。
  • 不可压缩流条件下冲压过滤装置的取样流量 下载:65 浏览:461
  • 刘龙波 吴艳敏 武山 周国庆 李志明 《物理进展》 2018年3期
  • 摘要:
    主要讨论当运输平台的行进速度较小时,即在不可压缩流条件下,冲压过滤装置的取样流量。从机械能守恒原理和过滤装置的压阻与空气流速的关系出发,推导了冲压过滤装置取样流量的计算公式。对过滤装置压阻和流速关系进行了实验测试,并对该装置取样流量进行了风洞测试。结果表明:计算得到的取样流量与风洞实测结果在10%范围内符合。最后讨论了运输平台行进速度和取样高度对取样流量的影响。
  • 半导体器件辐射效应数值模拟技术研究现状与发展趋势 下载:65 浏览:422
  • 陈伟丁 李利 郭晓强 《物理进展》 2018年3期
  • 摘要:
    半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。
  • 仿真大气中子束流产生靶及引出方向的初步研究 下载:102 浏览:461
  • 张利英1,2,3,4 倪伟俊1,2,5 敬罕涛1,2,3 王相綦4 《物理进展》 2018年3期
  • 摘要:
    利用FLUKA程序模拟计算了高能质子束打靶产生仿真大气中子束流时,靶材料、靶结构及入射质子能量对中子能谱的影响。结果表明,选择重金属铅或钨作为散裂靶材,不仅中子产额较大,而且当质子能量大于3GeV且在引出方向与质子入射方向夹角为30°时,中子能谱更接近标准大气中子能谱。对中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)第1靶站产生的白光中子束流能谱计算表明,该能谱适于开展仿真大气中子在半导体存储器件中引起的软错误试验研究;同时,就能谱形状而言,未来CSNS第2靶站在引出方向与质子入射方向夹角为30°和15°的两条白光中子束线,更适合开展与大气中子束流相关的存储芯片和高集成电路的单粒子效应研究。
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物理进展  期刊指标
出版年份 2018-2025
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