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铟镓锌氧薄膜晶体管的悬浮栅效应研究 下载：49 浏览：368

覃婷 黄生祥 廖聪维 于天宝 罗衡 刘胜 邓联文 《现代物理学报》 2019年4期

摘要:
为了避免光照对铟镓锌氧薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors，IGZO TFTs)电学特性的影响，IGZO TFT要增加遮光金属层.本文研究了遮光金属栅极悬浮时，IGZO TFT的输出特性.采用器件数值计算工具TCAD(technology computer-aided design)分析了IGZO层与栅介质层界面处电势分布，证实了悬浮栅(floating gate，FG)IGZO TFT输出曲线的不饱和现象是由悬浮栅与TFT漏端的电容耦合造成.基于等效电容的电压分配方法，提出了悬浮栅IGZO TFT电流的一阶模型.TCAD数值分析及一阶物理模型结果与测试具有较高程度的符合，较完整地解释了悬浮栅IGZO TFT的电学特性.

纳米硅量子点的自组织形成及其量子效应 下载：43 浏览：387

高文秀 刘继伟 高鹏 郭先清 《纳米技术研究》 2019年4期

摘要:
用减压气相淀积法(LPCVD),在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(1011cm-2)纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点),并进一步利用自组织生成的硅量子形成具有悬浮栅极的MOS单元,验证了硅量子点的量子效应。
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