文章-世纪中文出版社

杨智文1 詹迎迎1 籍少敏1，2 杨庆旦1 李琦1 霍延平1，2 《应用化学学报》 2019年8期

摘要:

硼元素因其独特的价层电子结构——价电子数少于价轨道数,而拥有一个空的p轨道,其三配位化合物既可以和邻近的π体系产生有效共轭,又可以容易地与路易斯碱发生络合,形成四配位化合物。将硼元素引入传统的光电功能分子当中,往往能给整个体系带来独特的光电性质,这已成为新型有机光电功能分子设计的重要思路。本文围绕硼元素的三配位化合物和四配位化合物,从分子设计理念、化合物光电性质、相关器件的结构与效率等方面对含硼有机光电功能分子及其器件的研究进展进行综述,并对其未来发展做出展望。

大π共轭分子四苯基二苯并荧蒽及二茚并苝的有机光电器件研究进展下载：78 浏览：416

余俊乐1，2 郑燕琼2 唐杰1，2 杨芳1，2 王超1，2 魏斌2 李喜峰2，3 石继锋2，3 《新材料》 2020年8期

摘要:

近年来，有机半导体的开发及应用推动了有机光电器件的迅速发展。其中小分子半导体器件相比聚合物半导体器件具有更好的重现性和可控性，制备工艺更多样化，界面调控更简单且机理更清晰。然而，小分子半导体在成膜设备和成膜工艺方面要求相对更高，尤其是工艺参数对膜中分子聚集态和取向性有显著影响。目前，小分子半导体材料存在的不足在于:(1)常规制备工艺难以获得分子排列高度有序的薄膜；(2)可同时蒸镀和溶液加工的小分子半导体相对缺乏；(3)光吸收范围相对较窄且激子扩散长度较短。2009年首次报道的二萘嵌苯类小分子半导体四苯基二苯并荧蒽(Tetraphenyldibenzoperiflanthene，DBP)及其衍生物二茚并苝(Diindenoperylene，DIP)凭借优异的光电性能，如DBP在可见光区强吸收、双极传输特性、高空穴迁移率、强水平分子取向趋势、高光/热稳定性以及DIP的双极传输特性、垂直分子取向和高结晶性等，引起了越来越多的关注。近年来，研究者们主要从设备改造、制备工艺、器件结构和材料匹配等方面进行尝试，不断提升基于DBP和DIP的有机光电器件的性能。DBP和DIP在有机光伏电池、有机发光二极管、有机晶体管中被有效应用。主要通过热退火和溶剂蒸气退火工艺提升DBP光伏电池的光电流、填充因子，并将DBP作为受体匹配合适的给体或将DBP与非富勒烯受体匹配后获得更高的开路电压。在基于DBP的有机发光二极管和有机场效应晶体管方面，主要研究了器件性能与缓冲层传输特性、发光层结构、基板温度和沟道长度等之间的关联性。关于DIP薄膜，近几年的研究工作将角度倾斜沉积、温度控制、退火工艺、分子模板等手段引入到薄膜分子取向调控中。并利用DIP的双极传输制备了基于DIP给体或DIP受体的光伏电池，获得了较高的电池效率(5. 8%)。此外，通过易结晶的DIP诱导其他半导体材料的分子排列提升有机场效应晶体管的迁移率。本文系统综述了DBP和DIP的材料特性及其在上述多种有机光电器件中的重要研究进展，并对其研究趋势进行了深度展望，以期为这类小分子半导体的分子设计及应用提供参考。

热激发延迟荧光分子的受体基团研究进展下载：83 浏览：425

孙佳南许辉《新材料》 2020年1期

摘要:

近年来，热激发延迟荧光材料(Thermally activated delayed fluorescence，TADF)及其电致发光器件取得了快速发展。TADF材料应具有小的单线态-三线态能级差，从而使其三线态激子可以通过反向系间窜越过程到达单线态，进而辐射发光。因此，与传统的荧光及磷光材料相比，TADF材料除了理论上可以实现100%的内量子效率(Internal quantum efficiency，IQE)和电生激子利用率外，它还具有更高的发光效率，且大部分TADF分子为纯有机给-受体体系，分子结构简单，基团选择范围广。通过增强TADF受体单元的吸电子能力，可以有效促进前线轨道的分离，从而降低单重态-三重态能级差，提高反向系间窜越速率。同时，调节受体的分子构型还可以抑制分子间的相互作用，改善载流子注入传输。然而，相对于给体单元，受体单元类型多样且功能差异较大，这对选择合适的受体基团以实现有效的光电性质调控造成了一定影响。近年来，人们构建热激发延迟荧光材料更侧重于受体基团的选择，且取得了显著成果。常见的受体基团有膦氧、氰基、三嗪和羰基等。深入研究受体基团对调控分子内电子效应和分子间相互作用至关重要。本文对近年来报道的TADF体系中主要的受体基团进行了梳理，对其结构和光电性质之间的关系进行了总结，以期为高效TADF分子的设计开发提供借鉴。

利用银纳米立方增强效率的多层溶液加工白光有机发光二极管下载：64 浏览：462

张雅男1 詹楠2 邓玲玲2 陈淑芬3 《现代物理学报》 2020年7期

摘要:

金属纳米粒子的局域表面等离子体共振效应常被用于增强有机发光二极管中激子辐射强度，其增强效果与金属纳米粒子的共振波长、共振强度及其与激子之间的耦合密切相关.本文将具有较强局域表面等离子体共振效应的银纳米立方引入多层溶液加工白光有机发光二极管中提升器件性能.在传统的溶液加工有机发光二极管中，发光层主体一般具有较强的空穴传输性，因此激子主要在发光层/电子传输层界面附近复合.本文将银纳米立方掺入电子传输层中，使银纳米立方与激子之间产生充分的耦合作用，提高激子发光强度.对银纳米立方包裹二氧化硅外壳，一方面优化纳米立方与激子之间的距离，另一方面减小其对器件中电荷传输的影响.通过优化银纳米立方的浓度，多层溶液加工白光有机发光二极管的电流效率达到30.0 cd/A，是基础器件效率的2倍.另外，由于银纳米立方的等离子体共振光谱较宽，同时增强了白光中蓝光和黄光的强度，因此引入银纳米立方基本没有影响白光的色度.研究结果表明引入金属纳米粒子是提升多层溶液加工发光二极管性能的有效方法.

基于a-IGZO型OLED的顶栅自对准TFT结构中遮光层的研究下载：57 浏览：290

高颖1 周星宇2 《光电子进展》 2020年6期

摘要:

顶栅自对准(Top-gate self aligned)结构的a-IGZO TFT器件具有较小的寄生电容,适用于驱动OLED(Organic light emitting diode)显示器。为了增加TFT器件在光照条件下的稳定性,驱动OLED的TFT(Thin film transistors)器件通常需要加入遮光层。文章对遮光层的作用、遮光层信号连接方式、缓冲层厚度以及遮光层尺寸的选择进行了探究。结果表明:(1)遮光层可以有效降低TFT因为光照射造成的阈值电压负偏;(2)遮光层连接电讯号电性会更稳定,并且信号连接到源极,驱动电流更容易饱和,最适合驱动OLED;(3)缓冲层厚度选择400μm的器件性能较好;(4)在设计允许的情况下,遮光层应尽可能多的遮挡IGZO,以改善器件的稳定性。

屏上指纹设计方案下载：36 浏览：204

祝正易《光电子进展》 2020年3期

摘要:

为了提升屏幕指纹系统的集成度,实现高屏占比,降低系统的厚度,提出屏上指纹设计方案。将指纹的感应层集成到触显屏幕上方,压缩屏幕指纹的厚度,从而降低系统的厚度。结合目前技术能力及行业工艺水平,提出设计方案,对这个设计方案的可行性和优势进行分析,并预测未来可能的发展趋势。技术对比表明:该方案可以降低屏幕指纹模组的厚度0.5 mm,对于后段的屏幕指纹模组厂来说,减少了2个重要工序,提升了屏上指纹模组的良率。该方案可以搭配OLED显示模组,也可以搭配TFT液晶显示屏。

一种用于硅基OLED驱动芯片的PWM电路设计下载：83 浏览：432

秦昌兵1，2 陈啟宏1，2 徐亭亭1，2 张白雪1，2 杨建兵1，2 《光电子进展》 2020年1期

摘要:

为改善传统模拟驱动方式在调亮时会改变OLED灰阶特性的现象,提出了一种可用于硅基OLED驱动芯片的脉宽调制电路(Pulse Width Modulation,PWM)电路。该电路对加在OLED阵列上的共阴极电压进行PWM调制,从而达到在调节亮度时灰阶特性不变的目的。电路采用0.18μm 1P6M混合信号工艺完成了电路设计和流片验证。仿真和测试结果表明,当亮度从100 cd/m2调节到500 cd/m2时,灰阶特征得到了明显的改善。

一种高亮度均匀性硅基OLED像素电路设计下载：53 浏览：304

秦昌兵1 徐亭亭2 陈啟宏1 张白雪1 杨建兵2 《光电子进展》 2019年6期

摘要:

提出了一种可提高亮度均匀性的用于高分辨率硅基OLED微显示器的像素电路。该像素电路包含4个MOS管和1个电容（4T1C）,通过对不同像素驱动管之间的阈值电压(Vth)的差值进行补偿,从而提高各个像素之间亮度均匀性。该电路采用0.18μm 1P6M混合信号工艺完成了电路设计和仿真验证,子像素面积仅为9μm×3μm,像素密度达2 822 PPI。仿真结果表明,在不补偿阈值电压的时候,像素之间电流的偏差从-62.6%变化到61.7%,补偿后,像素之间电流的偏差从-14.8%变化到11.8%。

基于FPGA的光电成像与显示电路设计下载：85 浏览：255

赵红伟1，2 刘凯丽1，2 张伟1，2 陈建军1，2 《光电子进展》 2019年6期

摘要:

设计了一种以FPGA为核心处理器、CMOS图像传感器为图像输入、硅基OLED微显示器为图像输出的光电成像与显示电路。该电路由传感器板、图像处理板和接口板组成,实现了光电信号的转换、数字图像处理及最终的图像显示,具有体积小、重量轻、功耗低、扩展性强等优点,对便携式光电成像设备的设计具有一定的参考价值。

基于单绿高亮硅基OLED显示屏的亮度调节电路设计下载：37 浏览：220

殷照1，2 单寅1，2 陈建军1，2 秦昌兵1，2 杨建兵1，2 《光电子进展》 2019年4期

摘要:

针对单绿高亮硅基OLED显示屏的特点,研究了其亮度调节电路,以满足高低温、宽范围亮度条件下的应用要求。选取2.4 cm单绿高亮硅基OLED作为显示屏组件,设计了具有温度-亮度补偿功能的宽范围亮度调节电路,并优化了调亮曲线,以满足高低温下亮度一致性的应用要求。最后进行了相应的光电测试,验证其有效性。

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