硫氰化亚铜(CuSCN)是一种良好的p型宽禁带透明半导体材料,具有较高的透光性、高导电率、易于常温制备、可溶液加工性以及价格低廉等优点,使得CuSCN成为未来大面积制备光电器件的有力竞争者。本文概述了CuSCN半导体材料的晶体结构、光学性质以及空穴传输特性等基本物理性质,介绍了几种常见CuSCN薄膜的制备方法,包括溶液加工成膜法、电化学沉积法和连续性离子层吸附与反应法等；对上述不同的制备方法结合实际应用进行了阐述,同时对比与讨论了各种制备方法的优点和缺点；接下来总结了CuSCN材料作为空穴传输层在场效应晶体管(FETs)、有机电致发光器件(OLEDs)、有机太阳能电池(OSCs)以及有机-无机杂化太阳能电池(HSCs)等领域的应用及其研究进展,最后对CuSCN所面临的问题以及研究前景进行了展望。