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亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究
DOI
:
,
PDF
下载:
94
浏览: 550
作者
:
贺永宁
;
;
李宗林
;
;
朱长纯
;
作者单位
:
西安交通大学电信学院,陕西西安,7100492
;
关键词
:
亚100nmCMOS
;
沟道反型层量子化
;
栅氧厚度
;
阈值电压
;
摘要:
介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战.针对尺寸量子化效应,建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响.得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面,造成有效栅氧厚度的增加,阈值电压的波动达到约10%。
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