电场力诱导阵列碳纳米管的生长及其模拟计算-文章-世纪中文出版社

电场力诱导阵列碳纳米管的生长及其模拟计算

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作者: 张晗1；张峻1；祁祥1；鲍桥梁1；潘春旭2；

作者单位: 1.武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉，430072；2.武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉，430072；武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室，湖北武汉，430072；

关键词: 电场力；碳纳米管；有限元方法；模拟计算；

摘要:

在火焰区周围施加电磁场可稳定重复地制备出大面积形态良好的直立碳纳米管.利用有限元的方法建模,系统计算碳纳米管在生长过程中受到的电场力及其与阵列碳纳米管的高度、间距和直径的关系,从理论上解释碳纳米管在电场力作用下的阵列生长过程和生长机制.