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电路级模拟技术在SRAM型FPGA总剂量效应敏感性预测中的应用
DOI
:
,
PDF
下载:
78
浏览: 533
作者
:
郭红霞
;
丁李利
;
范如玉
;
姚志斌
;
罗尹虹
;
张凤祁
;
张科营
;
赵雯
;
作者单位
:
1.西北核技术研究所;2.强脉冲辐射环境与效应国家重点实验室
;
关键词
:
电子器件
;
总剂量效应
;
试验技术
;
电路模拟
;
敏感性预测
;
摘要:
在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。
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