应用化学学报
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ISSN: 3078-9311

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  • 新型空穴传输材料CuSCN在光电器件中的应用 下载:94 浏览:488
  • 亓媛媛 李明光 王宏磊 张雯 陈润锋 黄维 《应用化学学报》 2018年9期
  • 摘要:
    硫氰化亚铜(CuSCN)是一种良好的p型宽禁带透明半导体材料,具有较高的透光性、高导电率、易于常温制备、可溶液加工性以及价格低廉等优点,使得CuSCN成为未来大面积制备光电器件的有力竞争者。本文概述了CuSCN半导体材料的晶体结构、光学性质以及空穴传输特性等基本物理性质,介绍了几种常见CuSCN薄膜的制备方法,包括溶液加工成膜法、电化学沉积法和连续性离子层吸附与反应法等;对上述不同的制备方法结合实际应用进行了阐述,同时对比与讨论了各种制备方法的优点和缺点;接下来总结了CuSCN材料作为空穴传输层在场效应晶体管(FETs)、有机电致发光器件(OLEDs)、有机太阳能电池(OSCs)以及有机-无机杂化太阳能电池(HSCs)等领域的应用及其研究进展,最后对CuSCN所面临的问题以及研究前景进行了展望。
  • 赭曲霉毒素A的电化学适体传感检测 下载:89 浏览:488
  • 单艳群 王晓英 《应用化学学报》 2018年9期
  • 摘要:
    赭曲霉毒素A(OTA)是一类主要由曲霉属和青霉属等真菌产生的小分子有毒次级代谢产物,广泛存在于食品、农产品和动物饲料中,具有强烈肝毒性、肾毒性、致畸和致突变等作用,亦是ⅡB类致癌物。鉴于OTA污染的普遍性和危害性,本文就目前OTA的常用检测方法进行概述和比较,重点阐述新型电化学适体传感技术在OTA检测方面的相关应用。全面综述了构型变换型、亲合型以及混合型OTA电化学适体传感器的原理、优缺点及最新研究进展,并对OTA电化学适体传感器的未来发展方向提出展望,为电化学适体传感器的深入研究与应用提供参考。
  • 基于硅杂蒽类染料的荧光探针及其应用 下载:90 浏览:495
  • 杜曼 霍宝龙 刘杰民 李梦文 房乐秋 杨运旭 《应用化学学报》 2018年9期
  • 摘要:
    近年来,荧光成像技术为人们研究活体细胞及组织内的化学生物学过程提供了有效的研究工具,可以无损、实时、原位地以高时空分辨率实现对目标物进行生物荧光成像与分析。荧光成像技术在生物学、环境监测、临床诊断和药物发现等诸多研究领域发挥着越来越重要的作用。生物荧光成像技术的最新进展对发展新型小分子荧光染料及探针提出了更高的要求。激发和发射波长位于近红外光区(600~900nm)的荧光染料及探针由于具有光毒性低、生物分子自发荧光干扰小、光散射低、组织穿透能力强等优点,非常适合用于生物荧光成像领域。通过将罗丹明分子中O桥原子用Si代替,得到了一类新型的探针分子——硅杂蒽类荧光探针。这类染料分子在保留了氧杂蒽荧光染料优越的光学性质的同时,光谱发生明显红移,满足了近红外荧光检测的要求,具有良好的生物相容性。本文综述了近年来基于硅杂蒽及其衍生物荧光探针的合成及在金属离子、pH值、小分子、生物酶等检测方面的研究进展,并且简要阐述了基于硅杂蒽类探针分子的识别检测机理以及其在生物成像等方面的应用。
  • 作为抗肿瘤药物的小分子四价铂 下载:92 浏览:503
  • 谭晓晓1,2 李国帅1 王庆鹏1 王炳全1 李大成1,2 王鹏3 《应用化学学报》 2018年9期
  • 摘要:
    四价铂类化合物作为抗肿瘤药物具有独特优势,显示出巨大的开发价值,受到广泛关注,近年来发展十分迅速,相关研究工作众多,已取得了许多杰出成果,是一个充满活力的热点领域。目前已有大量高活性、低毒性、耐药性低、生物利用率高、药代动力学性质优异、肿瘤靶向性强的四价铂化合物得到研究与开发,显示出了四价铂化合物在抗癌药物研究领域的巨大开发价值和深远的应用前景。目前对四价铂的开发主要集中在两方面:(1)基于经典铂类药物的四价铂,以二价铂药物为母体,通过引入不同功能的轴向配体,制备高活性多功能目标化合物。(2)基于非经典铂类药物的四价铂,对横向配体进行修饰制备新结构目标化合物,该类药物对于克服耐药性具有重要价值,特别是光敏四价铂有望为光动力学抗癌疗法提供新候选药物。四价铂具有发展为新一代可口服铂类药物的潜力。基于此,本文结合课题组在四价铂方面的工作基础,参考近五年本领域工作进展系统地综述了小分子四价铂化合物作为抗肿瘤药物的研究新进展,并对其发展趋势作了展望。
  • 二硫化钼薄膜的刻蚀方法及其应用 下载:91 浏览:495
  • 奚清扬1 刘劲松1,2 李子全1,3 朱孔军2 台国安2 宋若谷1 《应用化学学报》 2018年9期
  • 摘要:
    过渡金属硫化物因能带结构与层数具有明显的依赖关系而受到广泛关注,尤其是二维二硫化钼MoS2)薄膜因其优良的光电性能而成为研究热点。目前,化学气相沉积法(CVD)和剥离法已成为制备MoS2薄膜的主要方法,但这两种方法均存在难以精确控制MoS2层数的问题,研究证实通过刻蚀手段能够对MoS2薄膜层数进行进一步加工,从而得到单层或特定层数的样品。本文综述了基于不同刻蚀原理的MoS2薄膜刻蚀技术的国内外研究进展,分析讨论了不同刻蚀技术对刻蚀后MoS2薄膜质量的影响,介绍了MoS2刻蚀方法在场效应晶体管(FET)以及其他光电器件领域的实际应用和发展前景,最后对将来研究中需要着力解决的问题进行了展望。
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应用化学学报  期刊指标
出版年份 2018-2025
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影响因子 1.209
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