检 索
学术期刊
切换导航
首页
文章
期刊
投稿
首发
学术会议
图书中心
新闻
新闻动态
科学前沿
合作
我们
一封信
按学科分类
Journals by Subject
按期刊分类
Journals by Title
医药卫生
Medicine & Health
工程技术
Engineering & Technology
数学与物理
Math & Physics
经济与管理
Economics & Management
人文社科
Humanities & Social Sciences
化学与材料
Chemistry & Materials
信息通讯
Information & Communication
地球与环境
Earth & Environment
生命科学
Life Sciences
我要投稿
查看投稿进度
学术期刊
按学科分类
Journals by Subject
按期刊分类
Journals by Title
医药卫生
Medicine & Health
工程技术
Engineering & Technology
数学与物理
Math & Physics
经济与管理
Economics & Management
人文社科
Humanities & Social Sciences
化学与材料
Chemistry & Materials
信息通讯
Information & Communication
地球与环境
Earth & Environment
生命科学
Life Sciences
在线客服
客服电话:
400-188-5008
客服邮箱:
service@ccnpub.com
投诉举报:
feedback@ccnpub.com
人工客服
工作时间(9:00-18:00)
官方公众号
科技成果·全球共享
请选择
目标期刊
首页
期刊
文章
集成电路ESD注入损伤效应及注入电压与能量间的关系
下载:
339
浏览:
2405
丁伯继
《电路系统研究》
2022年10期
摘要:
确定电子元件的损伤阈值是决定元件功率值的主要因素,选择方波单脉冲的电流内应力法,选取特定的脉宽进行测试。目前方波注入实验是按照GJB538-88中的相关规定进行的,但是GJB538-88并没有将方波引起的辐射源场和高频的反射问题纳入计算范围之内。因此,通过选择专用的检测工具和设备,对检测的规范进行了改进,对74LS08的系统电子设备74LS08进行了方波注入实验,得到了74LS08的主要参数随脉冲宽度变化规律。
[1/1]
|<
<
1
>
>|
在线客服::
点击联系客服
联系电话::
400-188-5008
客服邮箱::
service@ccnpub.com
投诉举报::
feedback@ccnpub.com
人工客服
工作时间(9:00-18:00)
官方公众号
科技成果·全球共享