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电子辐照导致CMOS图像传感器性能退化 下载：95 浏览：468

马林东1,2,3,4 郭旗1,2,3 李豫东1,2,3 文林1,2,3 冯婕1,2,3 张翔1,2,3,4 王田珲1,2,3 《物理进展》 2018年10期

摘要:
对国产科学级4T-CMOS图像传感器进行电子辐照实验,考察了暗电流、饱和输出灰度值、暗信号非均匀性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。实验结果显示,随着辐照总吸收剂量的增加,器件的饱和输出灰度值下降,并且暗电流显著增加。分析认为,器件的饱和输出灰度值退化机制与电离总剂量效应引起的退化物理机理一致,辐照使转移栅沟道电势势垒下降是饱和输出灰度值下降的主要原因,而暗电流的增长主要由浅槽隔离界面缺陷和体缺陷造成。10MeV电子辐照后暗电流退化表现出一定的偏置效应,这是由10 MeV电子辐照引起的位移损伤所致。

不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析 下载：65 浏览：481

李豫东1,2,3 文林1,2,3 郭旗1,2,3 何承发1,2,3 周东1,2,3 冯婕1,2,3 张兴尧1,2,3 于新2 《物理进展》 2018年7期

摘要:
对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。

不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析 下载：95 浏览：490

李豫东1,2,3 文林1,2,3 郭旗1,2,3 何承发1,2,3 周东1,2,3 冯婕1,2,3 张兴尧1,2,3 于新2 《物理进展》 2018年6期

摘要:
对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。

不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析 下载：67 浏览：435

李豫东1,2,3 文林1,2,3 郭旗1,2,3 何承发1,2,3 周东1,2,3 冯婕1,2,3 张兴尧1,2,3 于新2 《物理进展》 2018年6期

摘要:
对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。

不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析 下载：96 浏览：510

李豫东1,2,3 文林1,2,3 郭旗1,2,3 何承发1,2,3 周东1,2,3 冯婕1,2,3 张兴尧1,2,3 于新2 《物理进展》 2018年4期

摘要:
对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。

不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析 下载：85 浏览：377

李豫东1,2,3 文林1,2,3 郭旗1,2,3 何承发1,2,3 周东1,2,3 冯婕1,2,3 张兴尧1,2,3 于新2 《物理进展》 2018年4期

摘要:
对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。

小学数学计算简便运算的易错点分析和策略 下载：368 浏览：3279

冯婕 《计算数学学报》 2021年11期

摘要:
简便计算是小学数学教学的重要组成部分，也对学生逻辑思维能力的培养和减轻学生计算负担起到重要作用。然而，学生在学习简便计算的过程中容易出现一些错误，对这些错误进行分析并给出对策是重要也是必要的。通过对具体例子的分析，给出具体的解决方案，可以使学生少犯类似的错误，也有利于推进小学数学教学工作的顺利进行。
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