为了应对传统CMOS器件所面临的一系列问题，本文提出了一种具有"或与"开关功能的新型TFET器件，并将其命名为具有或与开关功能的T沟道隧穿场效晶体管(T-Channel tunnel field-effect transistors with OR-AND switching behavior:TOA-TFET)。新器件具有三个独立偏置的栅极，相当于两个传统的单输入器件并联再与另外一个单输入器件串联，通过Silvaco TCAD软件仿真可以验证单个器件具有或与逻辑开关功能，极大的增强了单个晶体管的信号处理能力。我们详细分析了金属栅功函数和体硅厚度等参数对器件性能的影响并对其进行优化，最终优化出一个高性能的多功能逻辑器件。本文所提出的三输入TFET器件在电路设计中，使用单个晶体管就可以实现一些复杂的逻辑门，使电路得到简化并实现了低功耗的目标。

目的：通过以人为研究工具的质性研究方法来研究对于脑梗塞后遗症患者家属的心理压力。方法：选择我院180例自2017年10月至2018年10月入住的患有脑梗塞后遗症的患者家属来作为本次分析研究的对象，归纳患者家属心理压力产生的原因，记录所有来源并分析。结果：患者家属心理压力的主要来源有以下几点：其中担心患者会由于后遗症救助不成功导致病情无法挽回的人有79人，占了43.9%，由于跟医护人员的病情交流很不顺畅而担心的人有18人，占了10.0%，由于家庭条件不好有心理压力的人有83人，占了46.1%。结论：医护人员首先要重视对产生脑梗塞后遗症的患者进行良好的术后护理，尽量减少患者患上后遗症之后的各种危险因素；同时医护人员还需要关注家属的心理状况，多与家属进行有效的沟通，帮助家属疏导心理压力；为了保障患者的就医，需要逐步完善当前的医疗福利制度，对家庭困难的人群开展社会爱心救助等活动，可以帮助患者减轻心理压力。